參數(shù)資料
型號： NE46134-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍npn型中功率微波晶體管
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大?。?/td> 137K
代理商： NE46134-T1
TYPICAL COMMON EMITTER SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE46100, NE46134
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
V
CE
= 12.5 V, I
C
= 50 mA
FREQUENCY
(GHz)
0.05
0.10
0.20
0.40
0.60
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
1.80
2.00
2.20
2.40
2.50
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
2
(dB)
31.5
27.4
22.6
15.8
12.2
9.9
8.2
6.9
6.0
5.0
4.3
3.9
3.3
3.0
2.7
MAG
0.432
0.372
0.348
ANG
-91.9
-129.4
-161.2
173.5
157.1
143.8
132.4
121.2
111.6
101.9
93.1
83.3
73.3
63.0
57.3
MAG
34.139
19.834
10.443
5.332
3.610
2.755
2.254
1.927
1.710
1.523
1.388
1.295
1.206
1.140
1.109
ANG
125.6
106.3
92.4
79.3
70.1
61.8
54.4
47.1
40.4
34.0
29.0
23.5
18.1
13.6
11.7
MAG
0.024
0.036
0.058
0.104
0.150
0.196
0.239
0.280
0.320
0.354
0.385
0.418
0.445
0.471
0.482
ANG
63.0
63.5
65.4
68.1
66.3
63.1
59.2
55.0
50.7
46.2
42.4
38.2
34.0
29.9
28.0
MAG
0.586
0.362
0.223
0.170
0.172
0.188
0.210
0.236
0.267
0.300
0.330
0.357
0.386
0.411
0.423
ANG
-56.7
-78.4
-97.1
-112.8
-119.3
-122.4
-124.2
-125.8
-127.4
-128.9
-131.5
-132.7
-134.0
-135.3
-135.9
NE46134
V
CE
= 12.5 V, l
C
= 50 mA
0.50
0.75
0.95
1.05
1.07
1.07
1.07
1.06
1.05
1.04
1.04
1.03
1.03
1.02
1.02
0.343
0.343
0.349
0.352
0.353
0.350
0.343
0.339
0.336
0.325
0.318
0.314
0.05
0.10
0.20
0.40
0.60
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
1.80
2.00
2.20
2.40
2.50
0.380
0.355
0.341
0.338
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0.346
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0.328
0.320
0.309
0.305
-100.0
-137.9
-167.1
170.0
154.4
141.3
130.1
119.2
109.4
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91.1
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20.531
10.702
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2.812
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1.971
1.748
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1.420
1.324
1.240
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122.4
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79.0
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62.1
54.9
47.8
41.2
34.9
29.7
24.6
19.0
14.4
12.2
0.021
0.033
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0.489
64.3
65.0
68.3
69.6
67.2
63.5
59.3
54.9
50.3
45.7
41.7
37.4
33.1
29.0
27.0
0.530
0.324
0.208
0.167
0.170
0.185
0.204
0.229
0.257
0.288
0.317
0.343
0.370
0.395
0.406
-62.6
-86.1
-106.6
-123.6
-129.1
-131.1
-131.7
-132.1
-132.7
-133.1
-135.0
-135.8
-136.5
-137.3
-137.8
0.59
0.82
0.97
1.05
1.06
1.06
1.06
1.05
1.04
1.04
1.04
1.03
1.03
1.02
1.02
32.4
27.9
22.7
15.8
12.3
9.9
8.2
7.0
6.0
5.1
4.3
3.8
3.4
2.9
2.7
V
CE
= 12.5 V, l
C
= 100 mA
+120
+150
±
180
+90
+60
+30
-120
-150
-90
-60
-30
0
S
21
.05 GHz
S
21
2.5 GHz
S
12
.05 GHz
S
12
2.5 GHz
j50
j25
j10
0
-j10
-j25
-j50
-j100
j100
S
11
.05 GHz
S
22
.05 GHz
S
11
2.5 GHz
S
22
2.5 GHz
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PDF描述
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參數(shù)描述
NE46134-T1-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46134-T1-QS-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN High Frequency QS Rating RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE461M02 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
NE461M02-AZ 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 NPN Low Distort Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
NE461M02-T1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 NPN Low Distort Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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