參數資料
型號： NE46134-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍npn型中功率微波晶體管
文件頁數： 7/10頁
文件大小： 137K
代理商： NE46134-T1
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2.4
TYPICAL COMMON EMITTER SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
V
CE
= 5 V, I
C
= 50 mA
NE46134
V
CE
= 5 V, I
C
= 50 mA
FREQUENCY
(GHz)
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
2
(dB)
MAG
ANG
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ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
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V
CE
= 5 V, l
C
= 100 mA
V
CE
= 8 V, l
C
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-60
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S
21
.05 GHz
S
21
2.5 GHz
S
12
.05 GHz
S
12
2.5 GHz
j50
j25
j10
0
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-j25
-j50
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j100
S
11
.05 GHz
S
22
.05 GHz
S
11
2.5 GHz
S
22
2.5 GHz
相關PDF資料
PDF描述
NE52118 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT
NE52118-T1 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT
NE521DG High−Speed Dual−Differential Comparator/Sense Amp
NE521DR2 High−Speed Dual−Differential Comparator/Sense Amp
NE521DR2G High−Speed Dual−Differential Comparator/Sense Amp
相關代理商/技術參數
參數描述
NE46134-T1-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46134-T1-QS-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN High Frequency QS Rating RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE461M02 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
NE461M02-AZ 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 NPN Low Distort Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
NE461M02-T1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 NPN Low Distort Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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