參數(shù)資料
型號(hào): NE46100
廠商: NEC Corp.
英文描述: NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
中文描述: 鄰舍npn型中功率微波晶體管
文件頁數(shù): 5/10頁
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代理商: NE46100
TYPICAL COMMON EMITTER SCATTERING PARAMETERS
1
(T
A
= 25
°
C)
NE46100, NE46134
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
V
CE
= 8 V, I
C
= 50 mA
NE46100
V
CE
= 8 V, l
C
= 50 mA
FREQUENCY
(MHz)
100
200
500
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2500
3000
3500
4000
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
2
(dB)
29.5
26.6
21.8
18.8
17.2
14.6
13.2
12.0
10.9
9.8
8.0
6.7
5.6
4.6
MAG
0.773
0.808
0.824
0.823
0.822
0.824
0.820
0.825
0.822
0.821
0.816
0.817
0.817
0.807
ANG
-133
-157
-176
177
173
170
167
165
162
160
154
148
143
137
MAG
27.779
15.007
6.118
3.841
3.095
2.570
2.201
1.937
1.747
1.551
1.267
1.051
0.910
0.800
ANG
115
100
85
76
71
67
61
57
53
49
39
30
22
13
MAG
0.031
0.033
0.041
0.050
0.060
0.065
0.075
0.080
0.084
0.095
0.116
0.128
0.154
0.169
ANG
30
30
35
42
50
48
46
49
48
50
50
45
45
40
MAG
0.538
0.428
0.388
0.388
0.388
0.389
0.395
0.410
0.416
0.421
0.449
0.474
0.496
0.527
ANG
-99
-132
-160
-168
-171
-173
-175
-176
-177
-179
177
175
171
168
0.20
0.36
0.70
0.91
0.99
1.05
1.06
1.09
1.15
1.15
1.16
1.17
1.12
1.13
V
CE
= 8 V, l
C
= 100 mA
100
200
500
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2500
3000
3500
4000
0.771
0.816
0.823
0.822
0.824
0.822
0.816
0.821
0.823
0.823
0.816
0.814
0.820
0.807
-141
-162
-177
176
172
169
166
164
161
159
153
148
142
137
28.901
15.323
6.183
3.889
3.124
2.605
2.223
1.962
1.751
1.563
1.292
1.061
0.927
0.814
111
98
84
76
71
67
62
58
54
50
40
31
23
15
0.025
0.028
0.038
0.047
0.057
0.064
0.073
0.079
0.088
0.097
0.117
0.134
0.154
0.170
27
23
36
48
49
54
56
54
54
55
51
48
45
41
0.507
0.434
0.417
0.419
0.418
0.422
0.426
0.435
0.443
0.438
0.462
0.491
0.501
0.529
-109
-142
-165
-172
-175
-177
-178
180
179
177
174
171
168
165
0.23
0.38
0.76
1.01
1.02
1.09
1.15
1.15
1.14
1.17
1.16
1.18
1.12
1.15
30.6
27.4
22.1
18.7
16.5
14.2
12.5
11.6
10.7
9.6
8.0
6.5
5.7
4.4
V
CE
= 10 V, l
C
= 50 mA
100
200
500
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2500
3000
3500
4000
0.780
0.809
0.819
0.817
0.821
0.821
0.814
0.819
0.816
0.819
0.815
0.814
0.819
0.806
-132
-156
-175
177
174
171
168
165
162
160
154
148
143
137
28.079
15.218
6.206
3.888
3.136
2.596
2.236
1.976
1.769
1.565
1.290
1.072
0.920
0.803
115
100
85
76
71
67
62
58
53
49
39
30
22
13
0.029
0.033
0.041
0.048
0.060
0.063
0.068
0.075
0.084
0.094
0.116
0.128
0.150
0.168
46
29
34
42
48
47
53
50
51
49
51
46
44
40
0.548
0.425
0.387
0.386
0.385
0.388
0.394
0.401
0.413
0.416
0.439
0.468
0.488
0.519
-99
-131
-159
-168
-170
-173
-174
-176
-178
-179
178
175
173
168
0.21
0.34
0.70
0.96
0.97
1.07
1.19
1.17
1.17
1.15
1.14
1.18
1.12
1.14
29.8
26.7
21.8
19.4
17.2
14.5
12.6
11.7
10.7
9.8
8.2
6.7
5.8
4.5
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.1 GHz
.1 GHz
S
22
4 GHz
S
11
4 GHz
j100
j50
j25
j10
0
-j10
-j25
-j50
-j100
100
50
10
0
+30
+60
+90
+120
+150
±
180
-150
-120
-90
-60
-30
S
21
4 GHz
S
12
4 GHz
S
21
0.1 GHz
S
21
0.1 GHz
10
15
20
25
.1
.15
.2
.25
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE46134 NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
NE46134-T1 NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
NE52118 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT
NE52118-T1 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT
NE521DG High−Speed Dual−Differential Comparator/Sense Amp
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE46134 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46134-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46134-T1 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46134-T1-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46134-T1-QS-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN High Frequency QS Rating RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray