參數(shù)資料
型號： NE46100
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍npn型中功率微波晶體管
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 137K
代理商： NE46100
V
CE
= 5 V, l
C
= 50 mA
FREQUENCY
(MHz)
100
200
500
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2500
3000
3500
4000
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
2
(dB)
29.8
26.2
21.7
18.5
16.3
14.0
12.4
11.4
10.6
9.5
7.8
6.3
5.3
4.3
MAG
0.778
0.815
0.826
0.827
0.826
0.825
0.820
0.828
0.827
0.828
0.822
0.818
0.824
0.812
ANG
-137
-159
-177
176
173
170
167
165
162
159
153
148
142
137
MAG
26.776
14.407
5.855
3.682
2.963
2.441
2.111
1.863
1.671
1.484
1.218
1.010
0.876
0.762
ANG
114
100
84
76
71
66
61
57
53
49
39
30
21
13
MAG
0.028
0.035
0.040
0.052
0.058
0.064
0.069
0.078
0.087
0.093
0.11
0.135
0.147
0.168
ANG
30
29
38
43
47
47
47
54
50
50
48
46
44
38
MAG
0.555
0.434
0.400
0.402
0.405
0.412
0.413
0.426
0.432
0.431
0.462
0.490
0.507
0.535
ANG
-102
-135
-162
-169
-172
-174
-176
-177
-178
-180
177
174
170
167
0.16
0.36
0.75
0.91
1.02
1.08
1.17
1.15
1.14
1.17
1.18
1.16
1.16
1.14
V
CE
= 5 V, l
C
= 100 mA
100
200
500
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2500
3000
3500
4000
0.778
0.820
0.832
0.833
0.831
0.836
0.829
0.831
0.827
0.830
0.831
0.821
0.820
0.812
-144
-164
-179
175
172
169
166
164
161
159
153
147
142
136
27.669
14.559
5.885
3.691
2.980
2.464
2.121
1.867
1.671
1.499
1.228
1.018
0.881
0.779
111
97
84
76
71
67
61
58
54
49
40
31
23
14
0.027
0.029
0.035
0.048
0.056
0.061
0.072
0.080
0.090
0.096
0.115
0.134
0.155
0.170
35
29
38
45
51
52
53
54
53
52
51
48
42
41
0.523
0.445
0.435
0.435
0.437
0.432
0.447
0.445
0.460
0.456
0.479
0.504
0.516
0.543
-114
-144
-166
-173
-176
-178
-180
179
178
176
173
170
167
164
0.27
0.42
0.81
0.95
1.05
1.11
1.12
1.14
1.14
1.15
1.15
1.18
1.14
1.16
30.2
27.0
22.2
18.8
16.0
14.0
12.6
11.4
10.4
9.6
8.0
6.3
5.3
4.2
Notes:
1. S-Parameters include Bond wires.
Base:
Total 1 wire, 1 per Bond Pad, 0.0259" (658
μ
m) long each wire.
Collector: Total 1 wire, 1 per Bond Pad, 0.0182" (463
μ
m) long each wire.
Emitter:
Total 2 wires, 1 per side, 0.0224" (569
μ
m) long each wire.
Wire:
0.0007" (17.8
μ
m) dia., gold.
2. Gain Calculations:
|S
21
|
|S
12
|
NE46100, NE46134
TYPICAL COMMON EMITTER SCATTERING PARAMETERS
1
(T
A
= 25
°
C)
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
V
CE
= 5 V, I
C
= 50 mA
NE46100
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
MAG =
K - 1
).
(
K ±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
0
+30
+60
+90
+120
+150
≠
±
180
-150
-120
-90
-60
-30
S
21
4 GHz
S
12
4 GHz
S
21
0.1 GHz
S
21
0.1 GHz
10
15
20
25
.1
.15
.2
.25
.1 S
S
22
.1 GHz
S
22
4 GHz
S
11
4 GHz
j100
j50
j25
j10
0
-j10
-j25
-j50
-j100
100
50
10
11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE46134 NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
NE46134-T1 NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
NE52118 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT
NE52118-T1 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT
NE521DG High−Speed Dual−Differential Comparator/Sense Amp
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE46134 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46134-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46134-T1 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46134-T1-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46134-T1-QS-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN High Frequency QS Rating RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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