參數(shù)資料
型號: NE34018-T1
廠商: NEC Corp.
英文描述: SR BTS VERT LFT 4 ASY PLU
中文描述: 募到S波段低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應管
文件頁數(shù): 3/16頁
文件大小: 114K
代理商: NE34018-T1
3
NE34018
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
q
C)
250
200
150
100
50
50
100
150
200
T
A
- Ambient Temperature - C
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
P
t
100
80
60
40
20
0
0
I
D
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1
2
3
4
5
–2.0
–1.0
0
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
100
80
60
40
20
0
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
V
DS
= 2 V
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN vs.
DRAIN CURRENT
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
18
17
16
15
14
0.5
0.4
0
10
20
G
a
NF
30
I
D
- Drain Current - mA
N
G
a
V
DS
= 2 V
f = 2 GHz
相關PDF資料
PDF描述
NE34018-T2 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE416 NPN MEDIUM POWER UHF-VHF TRANSISTOR
NE4210M01-T1 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE42484A NONLINEAR MODEL
NE46100 NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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NE34018-T1-64-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
NE34018-T1-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
NE34018-T2 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE34018-TI-63-A 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package)