參數(shù)資料
型號(hào)： NE34018-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： SR BTS VERT LFT 4 ASY PLU
中文描述： 募到S波段低噪聲放大器N溝道黃建忠場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 15/16頁(yè)
文件大小： 114K
代理商： NE34018-T1
15
NE34018
[MEMO]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE34018-T2 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE416 NPN MEDIUM POWER UHF-VHF TRANSISTOR
NE4210M01-T1 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE42484A NONLINEAR MODEL
NE46100 NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE34018-T1-64 功能描述:MOSFET L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE34018-T1-64-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE34018-T1-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE34018-T2 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE34018-TI-63-A 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package)
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