參數(shù)資料
型號： NE33284A
廠商： NEC Corp.
英文描述： L to X BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述： L至X波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 62K
代理商： NE33284A
NE33284A
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
250
200
150
100
50
0
50
100
150
200
250
T
A
– Ambient Temperature – C
P
t
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
50
40
30
20
10
–1.0
0
V
GS
– Gate to Source Voltage – V
I
D
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
–2.0
0
V
DS
= 2 V
2
30
f – Frequency – GHz
1
4
6
8 10
14
20
24
20
16
12
8
|
2
2
4
M
M
V
DS
= 2 V
I
D
= 10 mA
MAXIMUM AVAILABLE GAIN, FORWARD
INSERTION GAIN vs. FREQUENCY
0
1
2
3
4
5
V
DS
– Drain to Source Voltage – V
50
40
30
20
10
I
D
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
| IS
21s
|
2
MSG.
MAG.
Gain Calculations
MSG.
=
|
|
|
|
S
S
21
12
K
1 |
|
2|S
|S
|
|S
|
||S
|
2
112
22
2
12
21
=
MAG.
|S
|S
|
K
1)
21
12
2
=
±
=
S
S
S
S
11
22
21
12
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PDF描述
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NE34018 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
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NE33284A-T1 功能描述:MOSFET DISC BY CEL 01/02 84AS LO-NOISE HJ FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE33284A-T1A 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:L to X BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
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