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參數資料
| 型號： | NE33200 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SUPER LOW NOISE HJ FET |
| 中文描述： | 超低噪聲黃建忠場效應管 |
| 文件頁數： | 6/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | NE33200 |
SCHEMATIC
NE33200
NE33200 NONLINEAR MODEL
LG
LD
RD
LS
0.03
RS
1
CRF X
10000
R COMP
270
SOURCE
Q1
0.17
0.08
5
GATE
DRAIN
2
1
3
Parameters
BETA
VTO
ALPHA
LAMBDA
THETA
2
TAU
VBR
Q1
Parameters
CGD
KF
AF
TNOM
XTI
EG
VTOTC
BETATCE
FFE
Q1
0
0
1
27
3
1.43
0
0
1
0.0989
-0.6
8
0.2
0
4e-12
Infinity
8e-14
1
1
0.5
Infinity
0
0
0
0
0
0.4e-12
0.05e-12
0.3
0.5
0.16e-12
0
IS
N
VBI
FC
RC
CRF
RD
RG
RS
RIN
CGSO
3
CGDO
4
DELTA1
DELTA2
5
CDS
CGS
FET NONLINEAR MODEL PARAMETERS
(1)
(1) Series IV Libra TOM Model
The parameter in Libra corresponds to the parameter in PSpice:
(2) THETA
(3) CGSO
(4) CGDO
(5) DELTA2
B
CGS
CGD
VDELTA
MODEL RANGE
Frequency:
Bias:
Date:
0.1 to 10 GHz
V
DS
= 2 V, I
D
= 10 mA to 20 mA
8/6/96
Parameter
capacitance
inductance
resistance
Units
picofarads
nanohenries
ohms
UNITS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE33200M | SUPER LOW NOISE HJ FET |
| NE33200N | SUPER LOW NOISE HJ FET |
| NE33284A-T1 | KJ 6C 6#12 PIN PLUG |
| NE33284A-T1A | L to X BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE33284 | L to X BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NE33200M | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SUPER LOW NOISE HJ FET |
| NE33200N | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SUPER LOW NOISE HJ FET |
| NE33284 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:L to X BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE33284A | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:L to X BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE33284A_98 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SUPER LOW NOISE HJ FET |
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