參數(shù)資料
型號(hào): NE321000-
廠商: NEC Corp.
英文描述: TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 4V V(BR)DSS | 15MA I(DSS) | CHIP
中文描述: 晶體管|場(chǎng)效應(yīng)| N溝道| 4V五(巴西)直| 15mA的我(直)|芯片
文件頁(yè)數(shù): 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 48K
代理商: NE321000-
Data Sheet P14270EJ2V0DS00
6
NE321000
NOISE PARAMETERS
V
DS
= 2 V, I
D
= 10 mA
Γ
opt
Freq. (GHz)
NF
min
. (dB)
G
a
(dB)
MAG.
ANG. (deg.)
Rn/50
2.0
0.21
19.5
0.94
3.7
0.31
4.0
0.22
17.6
0.87
8.2
0.31
6.0
0.24
15.9
0.82
13.3
0.32
8.0
0.26
14.6
0.77
18.8
0.32
10.0
0.28
13.5
0.73
24.8
0.32
12.0
0.31
12.7
0.69
31.4
0.31
14.0
0.38
12.1
0.67
38.4
0.31
16.0
0.45
11.6
0.64
45.9
0.30
18.0
0.52
11.3
0.63
53.9
0.29
20.0
0.59
11.2
0.62
62.4
0.28
22.0
0.66
11.1
0.61
71.4
0.27
24.0
0.72
11.2
0.62
80.8
0.25
26.0
0.79
11.2
0.63
90.8
0.23
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE32400 C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP
NE24200 C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP
NE32484A-T1 KJ 55C 55#22 SKT PLUG
NE32484A C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE32484A-SL C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE321000_01 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET
NE3210S01 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE3210S01-A 功能描述:MOSFET Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE3210S01-T1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET
NE3210S01-T1-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET