參數(shù)資料
型號(hào)： NE321000-
廠商： NEC Corp.
英文描述： TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 4V V(BR)DSS | 15MA I(DSS) | CHIP
中文描述： 晶體管|場(chǎng)效應(yīng)| N溝道| 4V五（巴西）直| 15mA的我（直）|芯片
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
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代理商： NE321000-
Data Sheet P14270EJ2V0DS00
3
NE321000
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25 °C)
250
200
150
100
50
0
50
100
150
200
250
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
Ambient Temperature T
A
(
°
C)
T
t
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
100
80
60
40
20
0
2.0
1.0
D
D
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
60
40
20
0
–2.0
–1.0
0
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Frequency f (GHz)
M
M
F
2
|
2
V
DS
= 2 V
MAXIMUM AVAILABLE GAIN, FORWARD
INSERTION GAIN vs. FREQUENCY
24
20
16
12
8
4
1
30
2
4
20
6
8 10
14
V
DS
= 2 V
I
D
= 10 mA
MSG.
|S
21S
|
2
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PDF描述
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