Figure 4. IBAT Operating Current vs" />
參數(shù)資料
型號(hào)： NCN4557MTG
廠商： ON Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 11/12頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC SMART CARD/SIM DUAL 16-QFN
產(chǎn)品變化通告： Product Discontinuation 30/Sept/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 123
系列： *
應(yīng)用： *
接口： *
電源電壓： *
封裝/外殼： 16-WFQFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-QFN（3x3）
包裝： 管件
安裝類型： 表面貼裝
NCN4557
http://onsemi.com
8
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 4. IBAT Operating Current vs. VBAT,
TA = 25°C, ICC = 0 mA
Figure 5. IBAT Shutdown Current vs. VBAT
VBAT (V)
5.5
5.1
4.7
4.3
3.9
3.5
3.1
2.7
20
22
24
26
28
30
5.5
5.1
4.7
4.3
3.9
3.5
3.1
2.7
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Figure 6. IVDD Shutdown Current vs. VDD,
TA = 25°C, VBAT = 5.5 V
Y AXIS LABEL (UNIT)
5.8
5.4
5.0
3.8
3.4
2.6
2.2
1.8
0
10
20
30
40
50
Figure 7. Activation Sequence, Ch1 : CRD_VCC,
Ch2 : CRD_IO, Ch4 : CRD_RST, Ch3 : CRD_CLK
Figure 8. Automatic Deactivation
Ch4: CRD_RST, Ch3: CRD_CLK, Ch2: CRD_IO,
Ch1: CRD_VCC
I BA
T
(m
A)
Dropout
CRD_VCCA/B = 3.0 V
CRD_VCCA/B = 1.8 V
I BA
T
_
SD
(m
A)
40
°C
25
°C
85
°C
3.0
4.2
4.6
IV
DD_
S
D
(nA)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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