參數(shù)資料
型號(hào): NAND512R4M2CZB5E
廠商: 意法半導(dǎo)體
元件分類(lèi): 存儲(chǔ)器模塊
英文描述: 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
中文描述: 同一封裝內(nèi)整合了256/512Mb/1Gb(x8/x16,1.8/3V,528字節(jié)頁(yè))NAND閃存以及256/512Mb(x16/x32,1.8V的)LPSDRAM的MCP
文件頁(yè)數(shù): 8/23頁(yè)
文件大?。?/td> 181K
代理商: NAND512R4M2CZB5E
Summary description
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
8/23
Table 2.
Signal Names: NAND Flash & 1 x SDR LPSDRAM
NAND Flash
I/O0-I/O7
Data Inputs/Outputs for x8 devices
I/O8-I/O15
Data Inputs/Outputs for x16 devices
AL
Address Latch Enable
CL
Command Latch Enable
E
F
Chip Enable
R
Read Enable
RB
Ready/Busy (open-drain output)
W
F
Write Enable
WP
Write Protect
V
DDF
Supply Voltage
V
SSF
Ground
SDR LPSDRAM
A0-A12
Row Address: RA0-RA11
Column Address: CA0-CA8
Auto-precharge flag: A10
BA0-BA1
Bank Address
DQ0-DQ15
Data Inputs/Outputs
K
Clock Input
KE
Clock Enable Input
E
D
Chip Select inputs
W
D
Write Enable Input
RAS
Row Address Strobe Input
CAS
Column Address Strobe Input
DQM0
Upper DQ Mask Enable Output
DQM1
Lower DQ Mask Enable Output
V
DDD
Supply Voltage
V
DDQD
Input/Output Supply Voltage
V
SSD
Ground
V
SSQD
Input/Output Ground
NC
Not Connected Internally
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512W3M5BZB5F 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
NAS-xxx SEMI-PRECISION POWER WIREWOUND RESISTOR
NASxxx SEMI-PRECISION POWER WIREWOUND RESISTOR
NAS1581 100 DEG FRUSH REDUCED HEAD BOLT
NAS1581-10 100 DEG FRUSH REDUCED HEAD BOLT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND512W3A0AN6 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W3A0AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W3A0AN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 64MX8 12US 48TSOP - Tape and Reel
NAND512W3A0AV6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48WSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):497-5040
NAND512W3A2BE06 制造商:STMicroelectronics 功能描述:512 MBIT NAND FLASH MEMORY WAFER