參數(shù)資料
型號(hào)： NAND512R3B3CZA6
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
封裝： 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
文件頁數(shù)： 4/59頁
文件大小： 998K
代理商： NAND512R3B3CZA6
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
12/59
Figure 7. FBGA63 Connections, x16 devices (Top view through package)
AI09377
I/O15
WP
I/O4
I/O11
I/O10
VDD
I/O6
VDD
I/O3
H
VSS
I/O13
D
E
CL
C
NC
B
DU
NC
W
NC
A
8
7
6
5
4
3
2
1
NC
G
F
E
I/O1
AL
DU
NC
I/O7
I/O5
I/O14
I/O12
VSS
NC
RB
I/O2
DU
I/O0
DU
I/O9
10
9
R
NC
PRL
I/O8
VSS
DU
M
L
K
J
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND01GR4B3CZA1E 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND01GR4B3CZA6E 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND01GW4B3BN6T 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GW4B3CZA1E 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND08GR4B2BZC6T 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND512R4A2CWFD 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512R4A2CZA6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:512MB. 3V X8 NO OPTION TSOP48TSOP-1 48 12X20 AL 42 - Trays
NAND512R4A2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512W3A0AN6 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W3A0AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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