參數(shù)資料
型號(hào)： NAND512R3A2BZB1E
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
中文描述： 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁(yè)面，1.8V/3V，NAND閃存芯片
文件頁(yè)數(shù)： 51/57頁(yè)
文件大小： 410K
代理商： NAND512R3A2BZB1E
51/57
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 41. VFBGA63 9x11mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Outline
Note: Drawing is not to scale.
Table 26. VFBGA63 9x11mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.05
0.041
A1
0.25
0.010
A2
0.70
0.028
b
0.45
0.40
0.50
0.018
0.016
0.020
D
9.00
8.90
9.10
0.354
0.350
0.358
D1
4.00
0.157
D2
7.20
0.283
ddd
0.10
0.004
E
11.00
10.90
11.10
0.433
0.429
0.437
E1
5.60
0.220
E2
8.80
0.346
e
0.80
–
–
0.031
–
–
FD
2.50
0.098
FD1
0.90
0.035
FE
2.70
0.106
FE1
1.10
0.043
SD
0.40
–
–
0.016
–
–
SE
0.40
–
–
0.016
–
–
E
D
e
D1
SD
FD
SE
b
A2
FE
A1
A
BGA-Z75
ddd
FD1
D2
E2
E1
e
FE1
BALL "A1"
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512R3A2CZA6T 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512R4A0CZA1 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512R4A0CZA1T 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND128W3A0CZB1 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512W4M5CZC5E 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND512R3A2CZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
NAND512R3A2CZA6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 1.8V 512Mbit 64M x 8bit 15us 63-Pin VFBGA T/R
NAND512R3A2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512R3A2DZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
NAND512R3A2SE06 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
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