參數(shù)資料
型號： NAND512R3A2BZA1T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
中文描述： 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片
文件頁數(shù)： 5/57頁
文件大?。?/td> 410K
代理商： NAND512R3A2BZA1T
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Behavioral simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
IBIS simulations models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
PROGRAM AND ERASE TIMES AND ENDURANCE CYCLES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
Table 14. Program, Erase Times and Program Erase Endurance Cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
MAXIMUM RATING. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
Table 15. Absolute Maximum Ratings. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
DC and AC PARAMETERS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
Table 16. Operating and AC Measurement Conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
Table 17. Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
Table 18. DC Characteristics, 1.8V Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
Table 19. DC Characteristics, 3V Devices. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
Table 20. AC Characteristics for Command, Address, Data Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
Table 21. AC Characteristics for Operations. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
Figure 23.Command Latch AC Waveforms. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
Figure 24.Address Latch AC Waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
Figure 25.Data Input Latch AC Waveforms. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
Figure 26.Sequential Data Output after Read AC Waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
Figure 27.Read Status Register AC Waveform. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
Figure 28.Read Electronic Signature AC Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
Figure 29.Page Read A/ Read B Operation AC Waveform. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
Figure 30.Read C Operation, One Page AC Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
Figure 31.Page Program AC Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
Figure 32.Block Erase AC Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
Figure 33.Reset AC Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
Ready/Busy Signal Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
Figure 34.Ready/Busy AC Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
Figure 35.Ready/Busy Load Circuit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
Figure 36.Resistor Value Versus Waveform Timings For Ready/Busy Signal . . . . . . . . . . . . . . . . 46
PACKAGE MECHANICAL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
Figure 37.TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20mm, Package Outline . . . . . . . . . 47
Table 22. TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20mm, Package Mechanical Data . 47
Figure 38.USOP48 – lead Plastic Ultra Thin Small Outline,12 x 17mm, Package Outline . . . . . . . 48
Table 23. USOP48 – lead Plastic Ultra Thin Small Outline, 12 x 17mm, Package Mechanical Data48
Figure 39.VFBGA55 8 x 10mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Outline . . . . . . . . 49
Table 24. VFBGA55 8 x 10mm - 6x8 ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data . . . . . . 49
Figure 40.TFBGA55 8 x 10mm - 6x8 active ball array - 0.80mm pitch, Package Outline . . . . . . . . 50
Table 25. TFBGA55 8 x 10mm - 6x8 active ball array - 0.80mm pitch, Package Mechanical Data 50
Figure 41.VFBGA63 9x11mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Outline . . . . . . . . . 51
Table 26. VFBGA63 9x11mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data. . 51
Figure 42.TFBGA63 9x11mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Outline. . . . . . . . . . 52
Table 27. TFBGA63 9x11mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data . . 52
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PDF描述
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NAND512R3A2BZA6E 功能描述:閃存 128Mbit-1Gbit 1.8/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512R3A2CZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
NAND512R3A2CZA6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 1.8V 512Mbit 64M x 8bit 15us 63-Pin VFBGA T/R
NAND512R3A2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512R3A2DZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
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