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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND512R3A2BZA1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 中文描述： | 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 46/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 410K |
| 代理商： | NAND512R3A2BZA1T |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
46/57
Ready/Busy Signal Electrical Characteristics
Figures
35
,
34
and
36
show the electrical charac-
teristics for the Ready/Busy signal. The value re-
quired for the resistor R
P
can be calculated using
the following equation:
So,
where I
L
is the sum of the input currents of all the
devices tied to the Ready/Busy signal. R
P
max is
determined by the maximum value of t
r
.
Figure 34. Ready/Busy AC Waveform
Figure 35. Ready/Busy Load Circuit
Figure 36. Resistor Value Versus Waveform Timings For Ready/Busy Signal
Note: T = 25°C.
RPmin
-VDDmax
VOLmax
IL
–
+
(
)
IOL
=
RPmin 1.8V
)
3mA
IL
+
-----1.85V
=
RPmin 3V
)
8mA
IL
+
------3.2V
=
AI07564B
busy
VOH
ready VDD
VOL
tf
tr
AI07563B
RP
VDD
VSS
RB
Open Drain Output
DEVICE
ibusy
ai07565B
RP (K
)
1
2
3
4
100
300
200
t
1
2
3
1.7
0.85
30
1.7
1.7
1.7
1.7
tr
tf
ibusy
0
400
4
RP (K
)
1
2
3
4
100
300
200
1
2
3
i
2.4
1.2
0.8
0.6
100
200
300
400
3.6
3.6
3.6
3.6
0
400
4
VDD = 1.8V, CL = 30pF
VDD = 3.3V, CL = 100pF
t
i
60
90
0.57
120
0.43
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| NAND512R3A2CZA6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| NAND512R3A2CZA6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 1.8V 512Mbit 64M x 8bit 15us 63-Pin VFBGA T/R |
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