參數(shù)資料
型號： NAND512R3A0AZB6F
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55
封裝： 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-55
文件頁數(shù)： 3/57頁
文件大?。?/td> 916K
代理商： NAND512R3A0AZB6F
11/57
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 6. FBGA55 Connections, x8 devices (Top view through package)
AI09366b
I/O7
WP
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I/O3
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M
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相關PDF資料
PDF描述
NAND512R3A2AZB6E 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55
NAND01GW3A0CZB1F 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND01GW3A2AN1 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GW3A2AZB1E 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND01GW3A0CZB1 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NAND512R3A2AZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 55VFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND512R3A2BZA6E 功能描述:閃存 128Mbit-1Gbit 1.8/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512R3A2CZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
NAND512R3A2CZA6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 1.8V 512Mbit 64M x 8bit 15us 63-Pin VFBGA T/R
NAND512R3A2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
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