參數(shù)資料
型號： NAND256W3A1AN1T
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 32M X 8 FLASH 3V PROM, 10000 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 15/56頁
文件大?。?/td> 882K
代理商： NAND256W3A1AN1T
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
22/56
Figure 14. Read Block Diagrams
Note: 1. Highest address depends on device density.
Figure 15. Sequential Row Read Operations
Figure 16. Sequential Row Read Block Diagrams
AI07596
A0-A7
A9-A26(1)
Area A
(1st half Page)
Read A Command, X8 Devices
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
Area A
(main area)
Area C
(Spare)
A0-A7
Read A Command, X16 Devices
A0-A7
Read B Command, X8 Devices
Area A
(1st half Page)
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
A0-A3 (x8)
A0-A2 (x16)
Read C Command, X8/x16 Devices
Area A
Area A/ B
Area C
(Spare)
A9-A26(1)
A4-A7 (x8), A3-A7 (x16) are don't care
I/O
RB
Address Inputs
ai07597
1st
Page Output
Busy
tBLBH1
(Read Busy time)
00h/
01h/ 50h
Command
Code
2nd
Page Output
Nth
Page Output
Busy
tBLBH1
AI07598
Block
Area A
(1st half Page)
Read A Command, x8 Devices
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
Area A
(main area)
Area C
(Spare)
Read A Command, x16 Devices
Read B Command, x8 Devices
Read C Command, x8/x16 Devices
Area A
Area A/ B
Area C
(Spare)
Area A
(1st half Page)
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
1st page
2nd page
Nth page
1st page
2nd page
Nth page
1st page
2nd page
Nth page
1st page
2nd page
Nth page
Block
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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