參數資料
型號： NAND08GW4B2CZC1F
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 512M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
封裝： 9.50 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-63
文件頁數： 8/59頁
文件大?。?/td> 998K
代理商： NAND08GW4B2CZC1F
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
16/59
Table 6. Address Insertion, x8 Devices
Note: 1. Any additional address input cycles will be ignored.
2. The fifth cycle is valid for 2Gb, 4Gb and 8Gb devices. A28 is for 2Gb devices, A29-A28 are for 4Gb devices and A30-A28 for 8Gb
devices only.
Table 7. Address Insertion, x16 Devices
Note: 1. Any additional address input cycles will be ignored.
2. The fifth cycle is valid for 2Gb, 4Gb and 8Gb devices. A27 is for 2Gb devices, A28-A27 are for 4Gb devices and A29-A27 for 8Gb
devices.
Bus Cycle
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
1st
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
2nd
VIL
A11
A10
A9
A8
3rd
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
4th
A27
A26
A25
A24
A23
A22
A21
A20
5th(2)
VIL
A30
A29
A28
Bus
Cycle
I/O8-
I/O15
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
1st
X
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
2nd
X
VIL
A10
A9
A8
3rd
X
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
4th
X
A26
A25
A24
A23
A22
A21
A20
A19
5th(2)
X
VIL
A29
A28
A27
相關PDF資料
PDF描述
NAND08GW4B3AZC6 512M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND08GW4B3BN1T 512M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND08GW4B3BN6E 512M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND08GW4B3BN6T 512M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND08GR3B2AN1F 1G X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
相關代理商/技術參數
參數描述
NAND128W3A0AN6 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND128W3A0AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND128W3A0AN6F 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND128W3A0BN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND128W3A0BN6F 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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