參數(shù)資料
型號： NAND08GR4B2AZC6E
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
封裝： 9.50 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-63
文件頁數(shù)： 49/59頁
文件大?。?/td> 998K
代理商： NAND08GR4B2AZC6E
53/59
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 39. USOP48 – lead Plastic Ultra Thin Small Outline,12x17 mm, Package Outline
Note: Drawing not to scale.
Table 27. USOP48 – lead Plastic Ultra Thin Small Outline, 12x17mm,
Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
0.48
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D1
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ddd
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E
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E1
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–
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–
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–
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–
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5
0
5
WSOP-A
b
e
DIE
c
A1
θ
E1
E
A
A2
1
24
48
25
D1
ddd
L1
L
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PDF描述
NAND512R3B3CZA6 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
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NAND01GW4B3BN6T 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
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參數(shù)描述
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NAND08GW3B2AN6F 功能描述:閃存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND08GW3B2BN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND & S.MEDIA FLASH - Trays
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