參數(shù)資料
型號： NAND08GR4B2AZC6E
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
封裝： 9.50 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-63
文件頁數(shù)： 16/59頁
文件大?。?/td> 998K
代理商： NAND08GR4B2AZC6E
23/59
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 13. Random Data Input During Sequential Data Input
I/O
Address
Inputs
ai08664
Data Intput
80h
Cmd
Code
Address
Inputs
Data Input
85h
5 Add cycles
Main Area
Spare
Area
Col Add 1,2
Row Add 1,2,3
Cmd
Code
2 Add cycles
Main Area
Spare
Area
Col Add 1,2
RB
Busy
tBLBH2
(Program Busy time)
SR0
10h
70h
Confirm
Code
Read Status Register
相關PDF資料
PDF描述
NAND512R3B3CZA6 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND01GR4B3CZA1E 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND01GR4B3CZA6E 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND01GW4B3BN6T 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GW4B3CZA1E 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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NAND08GW3B2AN6F 功能描述:閃存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND08GW3B2BN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND & S.MEDIA FLASH - Trays
NAND08GW3B2CN6E 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND08GW3B2CN6F 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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