參數(shù)資料
型號(hào)： NAND01GW4B3CZA1E
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
封裝： 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
文件頁(yè)數(shù)： 40/59頁(yè)
文件大?。?/td> 998K
代理商： NAND01GW4B3CZA1E
45/59
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 25. Command Latch AC Waveforms
Figure 26. Address Latch AC Waveforms
Note: A fifth address cycle is required for 2Gb, 4Gb and 8Gb devices.
ai08028
CL
E
W
AL
I/O
tCLHWL
tELWL
tWHCLL
tWHEH
tWLWH
tALLWL
tWHALH
Command
tDVWH
tWHDX
(CL Setup time)
(CL Hold time)
(Data Setup time)
(Data Hold time)
(ALSetup time)
(AL Hold time)
(E Setup time)
(E Hold time)
ai08029
CL
E
W
AL
I/O
tWLWH
tELWL
tWLWL
tCLLWL
tWHWL
tALHWL
tDVWH
tWLWL
tWLWH
tWHWL
tWHDX
tWHALL
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tWHALL
Adrress
cycle 1
tWHALL
(AL Setup time)
(AL Hold time)
Adrress
cycle 4
Adrress
cycle 3
Adrress
cycle 2
(CL Setup time)
(Data Setup time)
(Data Hold time)
(E Setup time)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND08GR4B2BZC6T 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND08GR4B3BN1 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND512R3B3BZA6E 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND512W3B3BN6E 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND512W3B3BZA6E 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
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參數(shù)描述
NAND01GW4BZA6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:1G, 3V, NAND, VFBGA63, IND - Trays
NAND01GW4M0AZB5E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
NAND01GW4M0AZB5F 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
NAND01GW4M0AZC5E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
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