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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND01GW3A2AZB1E |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| 封裝： | 9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-63 |
| 文件頁數(shù)： | 30/57頁 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | NAND01GW3A2AZB1E |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
36/57
Table 19. DC Characteristics, 3V Devices
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IDD1
Operating
Current
Sequential
Read
tRLRL minimum
E=VIL, IOUT = 0 mA
-
10
20
mA
IDD2
Program
-
10
20
mA
IDD3
Erase
-
10
20
mA
IDD4
Stand-by Current (TTL),
128Mb, 256Mb, 512Mb devices
E=VIH, WP=0V/VDD
-
1
mA
Stand-by Current (TTL)
512Mb and 1Gb Dual Die devices
-
2
mA
IDD5
Stand-By Current (CMOS)
128Mb, 256Mb, 512Mb devices
E=VDD-0.2,
WP=0/VDD
-
10
50
A
Stand-By Current (CMOS)
512Mb and 1Gb Dual Die devices
-
20
100
A
ILI
Input Leakage Current
VIN= 0 to VDDmax
-
±10
A
ILO
Output Leakage Current
VOUT= 0 to VDDmax
-
±10
A
VIH
Input High Voltage
-
2.0
-
VDD+0.3
V
VIL
Input Low Voltage
-
0.3
-
0.8
V
VOH
Output High Voltage Level
IOH = 400A
2.4
-
V
VOL
Output Low Voltage Level
IOL = 2.1mA
-
0.4
V
IOL (RB)
Output Low Current (RB)
VOL = 0.4V
8
10
mA
VLKO
VDD Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
-
2.5
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND01GW3A0CZB1 | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND01GW3A2BN6T | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GW3A2CN6T | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GW3A2AN1F | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND128R3A0AZA1T | 16M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GW3A2AZB1F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GW3A2AZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GW3A2AZB6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GW3A2AZB6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GW3A2AZB6F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
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