參數(shù)資料
型號： NAND01GW3A2AN1F
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 17/57頁
文件大小： 916K
代理商： NAND01GW3A2AN1F
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
24/57
Figure 15. Sequential Row Read Operations
Figure 16. Sequential Row Read Block Diagrams
I/O
RB
Address Inputs
ai07597
1st
Page Output
Busy
tBLBH1
(Read Busy time)
00h/
01h/ 50h
Command
Code
2nd
Page Output
Nth
Page Output
Busy
tBLBH1
AI07598
Block
Area A
(1st half Page)
Read A Command, x8 Devices
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
Area A
(main area)
Area C
(Spare)
Read A Command, x16 Devices
Read B Command, x8 Devices
Read C Command, x8/x16 Devices
Area A
Area A/ B
Area C
(Spare)
Area A
(1st half Page)
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
1st page
2nd page
Nth page
1st page
2nd page
Nth page
1st page
2nd page
Nth page
1st page
2nd page
Nth page
Block
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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NAND01GR4A2CZB1E 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
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參數(shù)描述
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NAND01GW3A2AN6 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND01GW3A2AN6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND01GW3A2AN6F 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND01GW3A2AN6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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