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參數(shù)資料
| 型號： | NAND01GR4B3CZA6E |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| 封裝： | 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63 |
| 文件頁數(shù)： | 44/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 998K |
| 代理商： | NAND01GR4B3CZA6E |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 32. Page Program AC Waveform
Note: A fifth address cycle is required for 2Gb, 4Gb and 8Gb devices.
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
SR0
ai08668
N
Last
10h
70h
80h
Page Program
Setup Code
Confirm
Code
Read Status Register
tWLWL
tWHBL
tBLBH2
Page
Program
Address Input
Data Input
Add.N
cycle 1
Add.N
cycle 4
Add.N
cycle 3
Add.N
cycle 2
(Write Cycle time)
(Program Busy time)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND01GW4B3BN6T | 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GW4B3CZA1E | 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND08GR4B2BZC6T | 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND08GR4B3BN1 | 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512R3B3BZA6E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GR4M0AZB5E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND01GR4M0AZB5F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND01GR4M0AZC5E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND01GR4M0AZC5F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND01GR4M0BZB5E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
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