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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND01GR4A2BN1T |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 40/57頁(yè) |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | NAND01GR4A2BN1T |
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45/57
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 32. Block Erase AC Waveform
Note: Address cycle 3 is required for 512Mb and 1Gb devices only.
Figure 33. Reset AC Waveform
D0h
60h
SR0
70h
ai08038b
tWHBL
tWLWL
tBLBH3
Block Erase
Setup Command
Block Erase
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
Confirm
Code
Read Status Register
Block Address Input
(Erase Busy time)
(Write Cycle time)
Add.
cycle 1
Add.
cycle 3
Add.
cycle 2
W
R
I/O
RB
tBLBH4
AL
CL
FFh
ai08043
(Reset Busy time)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND256W3A2CZA1E | 32M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND01GR4A2AZB6 | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND01GW3B2CN1E | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| NAND04GR3B3AN6 | 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3B3BZA1F | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GR4A2BN6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GR4A2BN6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GR4A2BN6F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GR4A2BN6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GR4A2BV1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
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