參數(shù)資料
型號(hào)： NAND01GR4A2AZB6
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
封裝： 9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
文件頁數(shù)： 38/57頁
文件大?。?/td> 916K
代理商： NAND01GR4A2AZB6
43/57
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 30. Read C Operation, One Page AC Waveform
Note: 1. A0-A7 is the address in the Spare Memory area, where A0-A3 are valid and A4-A7 are ‘don’t care’.
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
tWHALL
Data M
Data
Last
tALLRL2
ai08035
tWHBH
tBHRL
50h
Add. M
cycle 1
Add. M
cycle 4
Add. M
cycle 3
Add. M
cycle 2
Busy
Command
Code
Address M Input
Data Output from M to
Last Byte or Word in Area C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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NAND512W3B3CV1 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
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參數(shù)描述
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NAND01GR4A2AZB6F 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND01GR4A2AZB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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NAND01GR4A2BN1E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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