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NX7011D0074.250000

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  • NX7011D0074.250000
    NX7011D0074.250000

    NX7011D0074.250000

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-621049316210489162104578

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Pericom

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，原裝正品

  • NX7011D0074.250000
    NX7011D0074.250000

    NX7011D0074.250000

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 155956

  • PERICOM

  • SMD

  • 22+

  • -

  • 每一片都來(lái)自原廠，正品保證

  • NX7011D0074.250000
    NX7011D0074.250000

    NX7011D0074.250000

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 全新原裝貨 電話010-62104931...

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NX7011D0074.250000 技術(shù)參數(shù)
  • NX7002BKXBZ 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:260mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V 功率 - 最大值:285mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN（1.1x1） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX7002BKWX 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V SC-70 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:270mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX7002BKSX 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:270mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX7002BKR 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:270mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX7002BKMYL 功能描述:MOSFET N-CH 60V SGL XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:350mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta），3.1W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX7021E0150.000000 NX7031D0200.000000 NX7031D0644.531250 NX7031E0125.000000 NX7032C0200.000000 NX7101IDM NX7101IDMTR NX7102IDE NX7102IDETR NX7125003Z NX71C50001 NX71C50003 NX72F5506Z NX72F6208Z NX72G1102Z NX72W2201Z NX7335AN-AA-AZ NX7335BN-AA-AZ
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