NX7563JB-BC-AZ

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制造商
CEL
制造商全稱
CEL
功能描述
InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 550 nm OTDR APPLICATION

NX7563JB-BC-AZ 技術(shù)參數(shù)

NX7102IDETR 功能描述:IC REG BUCK SYNC ADJ 3A 8-SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器系列:* 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:High Efficiency Current Mode Switching Regulators CMOS LDO Regulators 特色產(chǎn)品:BD91x Series Step-Down Regulators 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 類型:降壓（降壓）輸出類型:兩者兼有輸出數(shù):2 輸出電壓:3.3V，0.8 V ~ 2.5 V 輸入電壓:4.5 V ~ 5.5 V PWM 型:電流模式頻率 - 開關(guān):1MHz 電流 - 輸出:1.5A 同步整流器:是工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:20-VFQFN 裸露焊盤包裝:帶卷 (TR) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:VQFN020V4040 產(chǎn)品目錄頁面:1373 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:BD9152MUV-E2TR NX7002BKXBZ 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:260mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V 功率 - 最大值:285mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:6-DFN（1.1x1）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX7002BKWX 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V SC-70 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:270mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX7002BKSX 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:270mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX7002BKR 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:270mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX8045GB-16.000000MHZ NX8045GB-16.000M-STD-CSF-1 NX8045GB-16.000M-STD-CSF-4 NX8045GB-16.000M-STD-CSJ-1 NX8045GB-16.934400MHZ NX8045GB-18.432000MHZ NX8045GB-20.000000MHZ NX8045GB-20.000M-STD-CSF-4 NX8045GB-24.000000MHZ NX8045GB-24.000M-STD-CSF-4 NX8045GB-25.000000MHZ NX8045GB-25.000M-STD-CSF-4 NX8045GB-27.000000MHZ NX8045GB-30.000000MHZ NX8045GB-32.000000MHZ NX8045GB-40.000000MHZ NX8045GB-40.000M-STD-CSJ-1 NX8045GB-5MHZ-STD-CSF-3