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NX7021D0148.500000

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 455032

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 455032

  • DIODES INCORPORATED

  • con

  • 24+

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

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    NX7021D0148.500000

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  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-621049316210489162104578

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

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  • Pericom

  • 標準封裝

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NX7021D0148.500000 技術(shù)參數(shù)
  • NX7002BKXBZ 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):260mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):23.6pF @ 10V 功率 - 最大值:285mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN(1.1x1) 標準包裝:1 NX7002BKWX 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V SC-70 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):270mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310mW(Ta), 1.67W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 標準包裝:1 NX7002BKSX 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):270mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310mW(Ta), 1.67W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 標準包裝:1 NX7002BKR 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):270mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310mW(Ta), 1.67W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 NX7002BKMYL 功能描述:MOSFET N-CH 60V SGL XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta),3.1W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 標準包裝:1 NX7101IDMTR NX7102IDE NX7102IDETR NX7125003Z NX71C50001 NX71C50003 NX72F5506Z NX72F6208Z NX72G1102Z NX72W2201Z NX7335AN-AA-AZ NX7335BN-AA-AZ NX7337BF-AA-AZ NX7338BF-AA-AZ NX7339BB-AA-AZ NX7363JB-BC-AZ NX73K0004Z NX7437BF-AA-AZ
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