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參數(shù)資料
| 型號： | MWI80-12T6K |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT Module Sixpack Short Circuit SOA Capability Square RBSOA |
| 中文描述： | 80 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | E1-PACK, SIXPACK-24 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 133K |
| 代理商： | MWI80-12T6K |
2005 IXYS All rights reserved
2 - 2
5
MWI 80-12 T6K
Advanced Technical Information
Equivalent Circuits for Simulation
Conduction
IGBT (typ. at V
GE
= 15 V; T
J
= 125°C)
V
0
= tbd; R
0
= tbd
Free Wheeling Diode (typ. at T
J
= 125°C)
V
0
= 1.5 V; R
0
= 6 m
Thermal Response
IGBT (typ.)
C
th1
= tbd J/K; R
th1
= tbd K/W
C
th2
= tbd J/K; R
th2
= tbd K/W
Free Wheeling Diode (typ.)
C
th1
= tbd J/K; R
th1
= tbd K/W
C
th2
= tbd J/K; R
th2
= tbd K/W
Module
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T
VJ
T
VJM
T
stg
operating
-40...+125
-40...+150
-40...+125
°
C
°
C
°
C
V
ISOL
I
ISOL
≤
1 mA; 50/60 Hz
2500
V~
M
d
Mounting torque (M4)
2.0 - 2.2
Nm
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
d
S
d
A
Creepage distance on surface
Strike distance in air
12.7
12.7
mm
mm
Weight
40
g
Diodes
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
I
F25
I
F80
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
80
51
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
V
F
I
F
= 50 A; V
GE
= 0 V; T
VJ
= 25°C
2.3
1.6
2.6
V
V
T
VJ
= 125°C
I
RM
t
rr
35
A
200
ns
R
thJC
R
thCH
(per diode)
0.65 K/W
0.25
K/W
I
F
= 50 A; di
/dt = -600 A/μs; T
VJ
= 100°C
V
R
= 600 V; V
GE
= 0 V
Temperature Sensor NTC
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R
25
B
25/85
T = 25°C
4.45
4.7
5.0
k
K
3510
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
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