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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MWI80-12T6K |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT Module Sixpack Short Circuit SOA Capability Square RBSOA |
| 中文描述： | 80 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | E1-PACK, SIXPACK-24 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 133K |
| 代理商： | MWI80-12T6K |
2005 IXYS All rights reserved
1 - 2
5
MWI 80-12 T6K
Advanced Technical Information
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Features
Trench IGBTs
- low saturation voltage
- positive temperature coefficient for
easy paralleling
- fast switching
- short tail current for optimized
performance also in resonant
circuits
HiPerFRED
TM
diode:
- fast reverse recovery
- low operating forward voltage
- low leakage current
Industry Standard Package
- solderable pins for PCB mounting
- isolated copper base plate
Typical Applications
AC drives
power supplies with power factor
correction
IGBTs
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V
CES
T
VJ
= 25°C to 150°C
1200
V
V
GES
±
20
V
I
C25
I
C80
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
80
56
A
A
I
CM
V
CEK
V
=
±
15 V; R
= 18
; T
= 125°C
RBSOA; clamped inductive load; L = 100 μH
100
V
CES
A
t
SC
V
= 900 V; V
=
±
15 V; R
G
= 18
; T
VJ
= 125°C
SCSOA; non-repetitive
10
μs
P
tot
T
C
= 25°C
270
W
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
VJ
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
CE(sat)
I
C
= 50 A; V
GE
= 15 V; T
VJ
= 25°C
2.0
2.3
2.4
V
V
T
VJ
= 125°C
V
GE(th)
I
C
= 2 mA; V
GE
= V
CE
4.5
6.5
V
I
CES
V
CE
= V
CES
;
V
GE
= 0 V;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
1
mA
mA
0.8
I
GES
V
CE
= 0 V; V
GE
=
±
20 V
400
nA
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
90
50
520
90
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
5
6.5
C
ies
Q
Gon
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V; f = 1 MHz
V
CE
= 600 V; V
GE
= 15 V; I
C
= 50 A
3600
470
pF
nC
R
thJC
R
thCH
(per IGBT)
0.46 K/W
0.2
K/W
Inductive load, T
= 125°C
V
CE
= 600 V; I
C
= 50 A
V
GE
= ±15 V; R
G
= 18
I
C25
V
CES
V
CE(sat) typ.
= 2.0 V
= 80 A
= 1200 V
IGBT Module
Sixpack
Short Circuit SOA Capability
Square RBSOA
10, 23
9, 24
14
13
6
5
4
3
22
21
2
1
18
17
15, 16
11, 12
8
7
NTC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX-1616 | HIGH SPEED CMOS PROGRAMMABLE ANALOG MULTIPLEXERS |
| MX-1616C | HIGH SPEED CMOS PROGRAMMABLE ANALOG MULTIPLEXERS |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MWIC930GR1 | 功能描述:IC PWR AMP RF 30W TO272-16GW RoHS:否 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 放大器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 頻率:100MHz ~ 6GHz P1dB:9.14dBm（8.2mW） 增益:15.7dB 噪音數(shù)據(jù):1.3dB RF 型:CDMA，TDMA，PCS 電源電壓:2.7 V ~ 5 V 電流 - 電源:60mA 測試頻率:2GHz 封裝/外殼:0505（1412 公制） 包裝:帶卷 (TR) |
| MWIC930NR1 | 功能描述:射頻放大器 30W 900MHZ TO272WBN RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MWIC930R1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 30W TO-272-16 RoHS:否 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 放大器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 頻率:100MHz ~ 6GHz P1dB:9.14dBm（8.2mW） 增益:15.7dB 噪音數(shù)據(jù):1.3dB RF 型:CDMA，TDMA，PCS 電源電壓:2.7 V ~ 5 V 電流 - 電源:60mA 測試頻率:2GHz 封裝/外殼:0505（1412 公制） 包裝:帶卷 (TR) |
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