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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MW7IC2240GNR1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 |
| 英文描述： | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| 中文描述： | 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/24頁(yè) |
| 文件大小： | 825K |
| 代理商： | MW7IC2240GNR1 |
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4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MW7IC2240NR1 MW7IC2240GNR1 MW7IC2240NBR1
Table 5. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests
(In Freescale Wideband 2110-2170 MHz Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28
Vdc, I
DQ1
= 90
mA, I
DQ2
= 420
mA,
P
out
= 4 W Avg., f1 = 2112.5
MHz and f2 = 2167.5
MHz, Single-Carrier W-CDMA, 3GPP Test Model 1, 64 DPCH, 50% Clipping, PAR = 7.5 dB
@ 0.01% Probability on CCDF. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @
±
5 MHz Offset.
Power Gain
G
ps
28
30
33
dB
Power Added Efficiency
PAE
12
14
—
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
—
-50
-46
dBc
Input Return Loss
IRL
—
-16
-12
dB
Typical
Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28
Vdc, I
DQ1
= 90
mA, I
DQ2
= 420
mA, 2110-2170 MHz
P
out
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
—
40
—
W
Video Bandwidth @ 40 W PEP P
out
where IM3 = -30 dBc
(Tone Spacing from 100 kHz to VBW)
Δ
IMD3 = IMD3 @ VBW frequency - IMD3 @ 100 kHz <1 dBc (both
sidebands)
VBW
—
10
—
MHz
Gain Flatness in 60 MHz Bandwidth @ P
out
= 4 W Avg.
G
F
—
0.1
—
dB
Average Deviation from Linear Phase in 60 MHz Bandwidth
@ P
out
= 40
W CW
Φ
—
1.08
—
°
Average Group Delay @ P
out
= 40 W CW, f = 2140 MHz
Delay
—
1.98
—
ns
Part-to-Part Insertion Phase Variation @ P
out
= 40
W CW,
f = 2140 MHz, Six Sigma Window
ΔΦ
—
18.3
—
°
Gain Variation over Temperature
(-30
°
C to +85
°
C)
Δ
G
—
0.05
—
dB/
°
C
Output Power Variation over Temperature
(-30
°
C to +85
°
C)
Δ
P1dB
—
0.004
—
dBm/
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MWA0211 | RF Amplifier |
| MWA0211L | RF Amplifier |
| MWA0211LT1 | RF Amplifier |
| MWA0304 | RF Amplifier |
| MWA0311 | RF Amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MW7IC2240NBR1 | 功能描述:射頻放大器 2170MHZ 4W TO272WB16 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MW7IC2240NR1 | 功能描述:射頻放大器 2170MHZ 4W TO270WB16 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MW7IC2425GNR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2400MHZ 4W TO270WB16G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MW7IC2425NBR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2400MHZ 4W TO270WB16G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MW7IC2425NR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2400MHZ 4W TO270WB16G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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