參數(shù)資料
型號： MW7IC2240GNR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
中文描述： 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器
文件頁數(shù)： 3/24頁
文件大小： 825K
代理商： MW7IC2240GNR1
MW7IC2240NR1 MW7IC2240GNR1 MW7IC2240NBR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
3
260
°
C
Table 5. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Stage 1 — Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 65 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 1.5
Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
Stage 1 — On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 23
μ
Adc)
V
GS(th)
1.2
2
2.7
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DD
= 28 Vdc, I
D
= 90
mAdc)
V
GS(Q)
—
2.9
—
Vdc
Fixture Gate Quiescent Voltage
(V
DD
= 28 Vdc, I
D
= 90
mAdc, Measured in Functional Test)
V
GG(Q)
9.5
13
16.5
Vdc
Stage 1 — Dynamic Characteristics
(1)
Input Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz)
C
iss
—
50
—
pF
Stage 2 — Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 65 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 1.5
Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
Stage 2 — On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 150
μ
Adc)
V
GS(th)
1.2
2
2.7
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DD
= 28 Vdc, I
D
= 420
mAdc)
V
GS(Q)
—
2.8
—
Vdc
Fixture Gate Quiescent Voltage
(V
DD
= 28 Vdc, I
D
= 420
mAdc, Measured in Functional Test)
V
GG(Q)
7
9.8
12.5
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 1
Adc)
V
DS(on)
0.2
0.39
1.2
Vdc
Stage 2 — Dynamic Characteristics
(1)
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
rss
—
0.67
—
pF
Output Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
oss
—
205
—
pF
1. Part internally matched both on input and output.
(continued)
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MW7IC2240NBR1 功能描述:射頻放大器 2170MHZ 4W TO272WB16 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
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MW7IC2425GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2400MHZ 4W TO270WB16G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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