參數(shù)資料
型號(hào)： MW6S010MR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 6/16頁
文件大?。?/td> 542K
代理商： MW6S010MR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MW6S010NR1 MW6S010GNR1 MW6S010MR1 MW6S010GMR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
— 900 MHz
A
0
60
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 8. Single-Carrier CDMA ACPR, Power
Gain and Power Added Efficiency
versus Output Power
50
10
40
20
30
30
20
40
10
50
0.1
1
10
G
ps
ACPR
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 125 mA
f = 945 MHz
100
15
20
0.1
0
50
T
C
= 30 C
25 C
30 C
10
1
19
18
17
16
40
30
20
10
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 9. Power Gain and Power Added
Efficiency versus Output Power
G
p
,
G
ps
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain versus Output Power
16 V
I
DQ
= 125 mA
f = 945 MHz
V
DD
= 12 V
14
15
19
0
12
17
16
18
4
6
8
G
p
,
0
24
500
25
5
S21
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 11. Broadband Frequency Response
S11
20
0
16
5
12
10
8
15
4
20
1200
1100
1000
900
800
700
600
V
DD
= 28 Vdc
P
out
= 10 W CW
I
DQ
= 125 mA
S
S
85 C
25 C
85 C
16
10
2
20 V
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 125 mA
f = 945 MHz
24 V
28 V
32 V
η
D
η
D
,
p
,
η
D
η
D
,
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MW6S010NR1 RF Power Field Effect Transistor
MW7IC18100GNR1 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MW7IC2240GNR1 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MWA0211 RF Amplifier
MWA0211L RF Amplifier
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參數(shù)描述
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MW6S010NR1_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MW6S-12A 制造商:TE Connectivity 功能描述:MW6S-12A = MW 6GHZ SENSITIVE H
MW6S-12P 制造商:TE Connectivity 功能描述:MW6S-12P = MW 6GHZ SENSITIVE H
MW6S-5P 制造商:TE Connectivity 功能描述:Military/Aerospace High Performance Relays 制造商:TE Connectivity 功能描述:MW6S-5P = MW 6GHZ SENSITIVE HI
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