參數(shù)資料
型號： MW6S010MR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 13/16頁
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代理商： MW6S010MR1
MW6S010NR1 MW6S010GNR1 MW6S010MR1 MW6S010GMR1
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
NOTES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MW6S010NR1 RF Power Field Effect Transistor
MW7IC18100GNR1 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MW7IC2240GNR1 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MWA0211 RF Amplifier
MWA0211L RF Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MW6S010NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 900MHZ 10W TO270-2N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MW6S010NR1_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MW6S-12A 制造商:TE Connectivity 功能描述:MW6S-12A = MW 6GHZ SENSITIVE H
MW6S-12P 制造商:TE Connectivity 功能描述:MW6S-12P = MW 6GHZ SENSITIVE H
MW6S-5P 制造商:TE Connectivity 功能描述:Military/Aerospace High Performance Relays 制造商:TE Connectivity 功能描述:MW6S-5P = MW 6GHZ SENSITIVE HI
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