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參數資料
| 型號： | MW6S010GNR1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistor |
| 中文描述： | RF功率場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 4/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 542K |
| 代理商： | MW6S010GNR1 |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MW6S010NR1 MW6S010GNR1 MW6S010MR1 MW6S010GMR1
Figure 2. MW6S010NR1(GNR1/MR1/GMR1) Test Circuit Component Layout — 900 MHz
C3
MW6S010N
C4
C7
C10
C6
B1
C2
C1
C5
C8
C9
R1
L1
C16
C18
C19
C15
C12
C11
C13
C14
C17
C20
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MW6S010MR1 | RF Power Field Effect Transistor |
| MW6S010NR1 | RF Power Field Effect Transistor |
| MW7IC18100GNR1 | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| MW7IC2240GNR1 | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| MWA0211 | RF Amplifier |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MW6S010GNR1-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MW6S010 Series 450-1500 MHz 10 W 28 V Lateral N-Ch RF Power MOSFET |
| MW6S010MR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數據:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MW6S010NR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 900MHZ 10W TO270-2N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MW6S010NR1_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MW6S-12A | 制造商:TE Connectivity 功能描述:MW6S-12A = MW 6GHZ SENSITIVE H |
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