- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359244 > MW5IC2030M MW5IC2030MBR1. MW5IC2030GMBR1 1930-1990 MHz. 30 W. 26 V. GSM/GSM EDGE. W-CDMA. PHS. RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MW5IC2030M |
| 英文描述： | MW5IC2030MBR1. MW5IC2030GMBR1 1930-1990 MHz. 30 W. 26 V. GSM/GSM EDGE. W-CDMA. PHS. RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| 中文描述： | MW5IC2030MBR1。 MW5IC2030GMBR1 1930-1990兆赫。 30日布什26五的GSM / GSM的EDGE網(wǎng)絡(luò)。的W - CDMA。小靈通。射頻LDMOS寬帶集成功率放大器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/12頁(yè) |
| 文件大小： | 627K |
| 代理商： | MW5IC2030M |
MW5IC2030MBR1 MW5IC2030GMBR1
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
V
DSS
65
Vdc
Gate-Source Voltage
V
GS
-0.5, +15
Vdc
Storage Temperature Range
T
stg
-65 to +175
°
C
Operating Junction Temperature
T
J
200
°
C
Input Power
P
in
20
dBm
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Value (1)
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
CDMA Application
(P
out
= 5 W CW)
Stage 1, 27 Vdc, I
DQ
= 160 mA
Stage 2, 27 Vdc, I
DQ
= 230 mA
PHS Application
(P
out
= 12.6 W CW)
Stage 1, 26 Vdc, I
DQ
= 300 mA
Stage 2, 26 Vdc, I
DQ
= 1300 mA
R
θ
JC
4.89
1.75
4.85
1.61
°
C/W
ESD PROTECTION CHARACTERISTICS
Test Conditions
Class
Human Body Model
1B (Minimum)
Machine Model
A (Minimum)
Charge Device Model
3 (Minimum)
MOISTURE SENSITIVITY LEVEL
Test Methodology
Rating
Per JESD 22-A113
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
CDMA FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola 1.9 GHz Test Fixture, 50
ο
hm system) V
DD
= 27 Vdc, I
DQ1
= 160 mA, I
DQ2
= 230 mA, P
out
=
5 W Avg., 1960 MHz, Single-Carrier N-CDMA, 1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 30 kHz Channel Bandwidth
@
±
885 kHz Offset. Peak/Avg. = 9.8 dB @ 0.01 Probability on CCDF.
Power Gain
G
ps
21.5
23
—
dB
Drain Efficiency
η
D
18
20
—
%
Input Return Loss
IRL
—
-18
-10
dB
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
—
—
-47
dBc
Stability
(0 dBm<P
out
<43 dBm CW; 3:1 VSWR)
No Spurious > -60 dBc
Gain Flatness in 30 MHz BW, 1930-1990 MHz
G
F
—
0.2
0.3
dB
(1) Refer to AN1955/D,
Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers.
Go to http://www.motorola.com/semiconductors/rf.
Select Documentation/Application Notes - AN1955.
(continued)
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MW5IC2030NBR1_065 | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| MW5IC970NBR1 | RF LDMOS Wideband 2-Stage Power Amplifiers |
| MW60B-24S15 | Analog IC |
| LWA3-12S33 | Analog IC |
| LWA3-24S33 | Analog IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MW5IC2030MBR1 | 功能描述:IC PWR AMP RF 26V 30W TO-272-16 RoHS:否 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 放大器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 頻率:100MHz ~ 6GHz P1dB:9.14dBm（8.2mW） 增益:15.7dB 噪音數(shù)據(jù):1.3dB RF 型:CDMA，TDMA，PCS 電源電壓:2.7 V ~ 5 V 電流 - 電源:60mA 測(cè)試頻率:2GHz 封裝/外殼:0505（1412 公制） 包裝:帶卷 (TR) |
| MW5IC2030MBR1_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| MW5IC2030MBR5 | 功能描述:IC PWR AMP RF 26V 30W TO-272-16 RoHS:否 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 放大器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 頻率:100MHz ~ 6GHz P1dB:9.14dBm（8.2mW） 增益:15.7dB 噪音數(shù)據(jù):1.3dB RF 型:CDMA，TDMA，PCS 電源電壓:2.7 V ~ 5 V 電流 - 電源:60mA 測(cè)試頻率:2GHz 封裝/外殼:0505（1412 公制） 包裝:帶卷 (TR) |
| MW5IC2030NBR1 | 功能描述:射頻放大器 1.9GHZ RFIC TO272WBN RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MW5IC2030NBR1_065 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。