參數(shù)資料
型號: MUN5137DW1T1
廠商: 樂山無線電股份有限公司
英文描述: Dual Bias Resistor Transistors
中文描述: 雙偏置電阻晶體管
文件頁數(shù): 4/20頁
文件大?。?/td> 172K
代理商: MUN5137DW1T1
MUN5111DW1T1 Series
http://onsemi.com
4
Figure 1. Derating Curve ALL DEVICES
300
200
150
100
50
0
50
0
50
100
150
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
R
θ
JA
= 490
°
C/W
250
P
D
,
ALL MUN5111DW1T1 SERIES DEVICES
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PDF描述
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參數(shù)描述
MUN5137DW1T1G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5137T1 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5137T1G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5138T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PNP DIGITAL TRANSISTOR (B - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Transistors Switching - Resistor Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
MUN5140T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PNP DIGITAL TRANSISTOR (B - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PNP DIGITAL TRANSISTOR (B