參數(shù)資料
型號(hào)： MUN5137DW1T1
廠商： 樂山無(wú)線電股份有限公司
英文描述： Dual Bias Resistor Transistors
中文描述： 雙偏置電阻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 13/20頁(yè)
文件大?。?/td> 172K
代理商： MUN5137DW1T1
MUN5111DW1T1 Series
http://onsemi.com
13
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5132DW1T1
75
°
C
25
°
C
25
°
C
Figure 42. V
CE(sat)
versus I
C
Figure 43. DC Current Gain
Figure 44. Output Capacitance
Figure 45. Output Current versus Input Voltage
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 46. Input Voltage versus Output Current
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
50
40
20
10
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
100
10
1
0.001
1000
V
C
,
h
F
,
6
45
50
40
30
20
10
0
0
C
o
,
2
4
8
100
6
5
4
3
2
1
0
0.001
1
10
I
C
,
10
9
8
7
10
30
20
10
0
0.1
1
40
50
V
i
,
75
°
C
25
°
C
T
A
= 25
°
C
75
°
C
25
°
C
T
A
= 25
°
C
75
°
C
25
°
C
T
A
= 25
°
C
0.01
35
25
15
5
0.01
0.1
30
10
12
I
C
/I
B
= 10
V
CE
= 10 V
f = 1 MHz
l
E
= 0 V
T
A
= 25
°
C
V
O
= 5 V
V
O
= 0.2 V
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MUN5137T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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