參數(shù)資料
型號: MUN5135T1G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Bias Resistor Transistor
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/12頁
文件大?。?/td> 114K
代理商: MUN5135T1G
MUN5111T1 Series
http://onsemi.com
4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Output Voltage (off) (V
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V, R
L
= 1.0 k )
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V, R
= 1.0 k )
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V, R
L
= 1.0 k )
MUN5130T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5131T1
MUN5132T1
V
OH
4.9
Vdc
Input Resistor
MUN5111T1
MUN5112T1
MUN5113T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5136T1
MUN5137T1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
k
Resistor Ratio
MUN5111T1/MUN5112T1/MUN5113T1/MUN5136T1
MUN5114T1
MUN5115T1/MUN5116T1
MUN5130T1/MUN5131T1/MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5137T1
R
1
/R
2
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
Figure 1. Derating Curve
250
200
150
100
50
050
0
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
50
100
150
P
R
JA
= 833
°
C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MUN5136T1G Bias Resistor Transistor
MUN5137T1G Bias Resistor Transistor
MUN5135T1 Bias Resistor Transistor
MUN5133T1G Bias Resistor Transistor
MUN5111T1G Bias Resistor Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MUN5136 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN5136DW 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN5136DW1T1 功能描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT363 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):70mA,100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k,2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz,200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
MUN5136DW1T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SS SC88 BR XSTR PNP 50V - Tape and Reel
MUN5136T1 功能描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242