參數(shù)資料
型號(hào)： MUN5135T1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Bias Resistor Transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 114K
代理商： MUN5135T1G
MUN5111T1 Series
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorBase Cutoff Current
(V
CB
= 50 V, I
E
= 0)
I
CBO
100
nAdc
CollectorEmitter Cutoff Current
(V
CE
= 50 V, I
B
= 0)
I
CEO
500
nAdc
EmitterBase Cutoff Current
(V
EB
= 6.0 V, I
C
= 0)
MUN5111T1
MUN5112T1
MUN5113T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5136T1
MUN5137T1
I
EBO
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
mAdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 10 A, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
50
Vdc
CollectorEmitter Breakdown Voltage
(Note 4)
(I
C
= 2.0 mA, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
50
Vdc
ON CHARACTERISTICS
(Note 4)
DC Current Gain
(V
CE
= 10 V, I
C
= 5.0 mA)
MUN5111T1
MUN5112T1
MUN5113T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5136T1
MUN5137T1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
140
150
140
CollectorEmitter Saturation Voltage (I
C
= 10 mA, I
= 0.3 mA)
(I
C
= 10 mA, I
B
= 5 mA)
(I
C
= 10 mA, I
B
= 1 mA)
MUN5132T1/MUN5133T1/MUN5134T1
MUN5130T1/MUN5131T1
MUN5115T1/MUN5116T1/
V
CE(sat)
0.25
Vdc
Output Voltage (on)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V, R
L
= 1.0 k )
MUN5111T1
MUN5112T1
MUN5114T1
MUN5115T1
MUN5116T1
MUN5130T1
MUN5131T1
MUN5132T1
MUN5133T1
MUN5134T1
MUN5135T1
MUN5113T1
MUN5136T1
MUN5137T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V, R
L
= 1.0 k )
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V, R
L
= 1.0 k )
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V, R
L
= 1.0 k )
4. Pulse Test: Pulse Width < 300 s, Duty Cycle < 2.0%
V
OL
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
Vdc
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PDF描述
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