- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄382353 > MUN5135DW1T1G (ON SEMICONDUCTOR) Dual Bias Resistor Transistors PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MUN5135DW1T1G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Dual Bias Resistor Transistors |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419B-02, SC-88, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 156K |
| 代理商： | MUN5135DW1T1G |
MUN5111DW1T1 Series
http://onsemi.com
6
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5112DW1T1
V
I
h
Figure 7. V
CE(sat)
versus I
C
Figure 8. DC Current Gain
1000
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
100
Figure 9. Output Capacitance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
10
20
30
V
O
= 0.2 V
T
A
=25
°
C
75
°
C
100
10
1
0.1
40
50
Figure 10. Output Current versus Input Voltage
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
1
2
3
4
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
5
6
7
8
9
10
Figure 11. Input Voltage versus Output Current
0.01
0.1
1
10
40
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
50
75
°
C
25
°
C
T
A
=25
°
C
50
0
10
20
30
40
4
3
2
1
0
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
25
°
C
I
C
/I
B
= 10
25
°
C
25
°
C
V
CE
= 10 V
T
A
=75
°
C
f = 1 MHz
l
E
= 0 V
T
A
= 25
°
C
75
°
C
25
°
C
T
A
=25
°
C
V
O
= 5 V
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5136DW1T1G | Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5137DW1T1G | Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5111DW1T1 | Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5112DW1T1 | PC Board Fuse; Current Rating:400mA-10A; Voltage Rating:125V; Fuse Terminals:Radial Lead; Fuse Size/Group:Subminiature; Fuse Type:Fast Acting; Interrupting Current Max:50A; Packaging:Bulk; Voltage Rating:125V RoHS Compliant: Yes |
| MUN5113DW1T1 | Dual Bias Resistor Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN5135T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5135T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5136 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5136DW | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5136DW1T1 | 功能描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT363 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。