參數(shù)資料
型號： MUN5135DW1T1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Dual Bias Resistor Transistors
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419B-02, SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù)： 19/20頁
文件大小： 156K
代理商： MUN5135DW1T1G
MUN5111DW1T1 Series
http://onsemi.com
19
PACKAGE DIMENSIONS
SC88 (SOT363
)
CASE 419B02
ISSUE V
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER 2
2. BASE 2
3. COLLECTOR 1
4. EMITTER 1
5. BASE 1
6. COLLECTOR 2
mm
inches
SCALE 20:1
0.65
0.025
0.65
0.025
0.50
0.0197
0.40
0.0157
1.9
0.0748
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 419B01 OBSOLETE, NEW STANDARD 419B02.
E
0.2 (0.008)
M
M
1
2
3
D
e
A1
A
A3
C
L
6
5
4
E
b
6 PL
DIM
A
A1
A3
b
C
D
E
e
L
MIN
0.80
0.00
NOM
0.95
0.05
0.20 REF
MAX
1.10
0.10
MILLIMETERS
0.10
0.10
1.80
1.15
0.21
0.14
2.00
1.25
0.30
0.25
2.20
1.35
0.031
0.000
0.037
0.002
0.008 REF
0.043
0.004
0.004
0.004
0.070
0.045
0.008
0.005
0.078
0.049
0.026 BSC
0.008
0.082
0.012
0.010
0.086
0.053
MIN
NOM
MAX
INCHES
H
E
H
E
0.65 BSC
0.20
2.10
0.10
2.00
0.30
2.20
0.004
0.078
0.012
0.086
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MUN5136DW1T1G Dual Bias Resistor Transistors
MUN5137DW1T1G Dual Bias Resistor Transistors
MUN5111DW1T1 Dual Bias Resistor Transistors
MUN5112DW1T1 PC Board Fuse; Current Rating:400mA-10A; Voltage Rating:125V; Fuse Terminals:Radial Lead; Fuse Size/Group:Subminiature; Fuse Type:Fast Acting; Interrupting Current Max:50A; Packaging:Bulk; Voltage Rating:125V RoHS Compliant: Yes
MUN5113DW1T1 Dual Bias Resistor Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MUN5135T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5135T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5136 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN5136DW 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN5136DW1T1 功能描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT363 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*