參數(shù)資料
型號(hào)： MUN5114DW1T1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Dual Bias Resistor Transistors
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419B-02, SC-88, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/20頁(yè)
文件大?。?/td> 156K
代理商： MUN5114DW1T1G
MUN5111DW1T1 Series
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted, common for Q
1
and Q
2
)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Base Cutoff Current (V
CB
= 50 V, I
E
= 0)
Collector-Emitter Cutoff Current (V
CE
= 50 V, I
B
= 0)
Emitter-Base Cutoff Current
(V
EB
= 6.0 V, I
C
= 0)
I
CBO
I
CEO
I
EBO
100
nAdc
500
nAdc
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
MUN5136DW1T1
MUN5137DW1T1
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
mAdc
Collector-Base Breakdown Voltage (I
C
= 10 A, I
E
= 0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 3) (I
C
= 2.0 mA, I
B
= 0)
ON CHARACTERISTICS
(Note 3)
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
50
Vdc
50
Vdc
Collector-Emitter Saturation Voltage (I
C
= 10 mA, I
E
= 0.3 mA)
(I
C
= 10 mA, I
B
= 5 mA)
(I
C
= 10 mA, I
B
= 1 mA)
MUN5132DW1T1/MUN5133DW1T1/MUN5134DW1T1
MUN5130DW1T1/MUN5131DW1T1
MUN5115DW1T1/MUN5116DW1T1
V
CE(sat)
0.25
Vdc
DC Current Gain
(V
CE
= 10 V, I
C
= 5.0 mA)
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
MUN5136DW1T1
MUN5137DW1T1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
140
130
140
Output Voltage (on)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V, R
L
= 1.0 k )
MUN5111DW1T1
MUN5112DW1T1
MUN5114DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5130DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5132DW1T1
MUN5133DW1T1
MUN5134DW1T1
MUN5135DW1T1
MUN5113DW1T1
MUN5136DW1T1
MUN5137DW1T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V, R
L
= 1.0 k )
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V, R
L
= 1.0 k )
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V, R
L
= 1.0 k )
Output Voltage (off) (V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V, R
L
= 1.0 k )
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.05 V, R
L
= 1.0 k )
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V, R
L
= 1.0 k )
V
OL
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
Vdc
MUN5130DW1T1
MUN5115DW1T1
MUN5116DW1T1
MUN5131DW1T1
MUN5133DW1T1
V
OH
4.9
Vdc
3. Pulse Test: Pulse Width < 300 s, Duty Cycle < 2.0%
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PDF描述
MUN5115DW1T1G Dual Bias Resistor Transistors
MUN5116DW1T1G Dual Bias Resistor Transistors
MUN5130DW1T1G Dual Bias Resistor Transistors
MUN5131DW1T1G Dual Bias Resistor Transistors
MUN5132DW1T1G Dual Bias Resistor Transistors
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參數(shù)描述
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MUN5114T1G 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5115 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN5115DW 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN5115DW1T1 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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