參數(shù)資料
型號(hào)： MUN2240
廠商： WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
英文描述： NPN Silicon Bias Resistor Transistor
中文描述： NPN硅偏置電阻晶體管
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 337K
代理商： MUN2240
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
ELECTRICALCHARACTERISTICS
(T
A
= 25 C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Ty
p
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Base Cutoff Current (V
CB
= 50 V, I
E
= 0)
I
CBO
-
-
100
nAdc
Collector-Emitter Cutoff Current (V
CE
= 50 V, I
B
= 0)
I
CEO
-
-
500
nAdc
Emitter-Base Cutoff Current
(V
EB
= 6.0 V, I
C
= 0)
MUN2211
MUN2212
MUN2213
MUN2214
MUN2215
MUN2216
MUN2230
MUN2231
MUN2232
MUN2233
MUN2234
MUN2236
MUN2237
MUN2240
MUN2241
I
EBO
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.05
0.13
0.2
0.1
mAdc
Collector-Base Breakdown Voltage (I
C
= 10 uA, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
50
-
-
Vdc
Collector-Emitter Breakdown Voltage (1)
(I
C
= 2.0 mA, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
50
-
-
Vdc
ON CHARACTERISTICS
(1)
DC Current Gain
(V
CE
= 10 V, I
C
= 5.0 mA)
MUN2211
MUN2212
MUN2213
MUN2214
MUN2215
MUN2216
MUN2230
MUN2231
MUN2232
MUN2233
MUN2234
MUN2236
MUN2237
MUN2240
MUN2241
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
160
160
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
150
140
350
350
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (I
C
= 10 mA, I
B
= 0.3 mA)
(I
C
= 10 mA, I
B
= 5 mA) MUN2230/MUN2231
(I
C
= 10 mA, I
B
= 1 mA) MUN2215/MUN2216
MUN2232/MUN2233/MUN2234
V
CE(sat)
-
-
0.25
Vdc
Output Voltage (on)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V, R
L
= 1.0 k )
MUN2211
MUN2212
MUN2214
MUN2215
MUN2216
MUN2230
MUN2231
MUN2232
MUN2233
MUN2234
MUN2213
MUN2240
MUN2236
MUN2237
MUN2241
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V, R
L
= 1.0 k )
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V, R
L
= 1.0 k )
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V, R
L
= 1.0 k )
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.0 V, R
L
= 1.0 k )
V
OL
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
Vdc
MUN2211 Series
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MUN2241 NPN Silicon Bias Resistor Transistor
MUN5112DW Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN5113DW Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN5114DW Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
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參數(shù)描述
MUN2240T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2240T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2241 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:NPN Silicon Bias Resistor Transistor
MUN2241T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2241T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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