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參數(shù)資料
| 型號： | MUN5112DW |
| 廠商： | WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD. |
| 英文描述： | Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| 中文描述： | 雙偏置電阻晶體管進步黨硅 |
| 文件頁數(shù)： | 1/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 354K |
| 代理商： | MUN5112DW |
Dual Bias Resistor Transistor
PNP Silicon
Collector-Emitter Voltage
Symbol
VCEO
Value
-50
Unit
Vdc
Vdc
Rating
IC
VCBO
-50
mAdc
Collector Current-Continuous
-100
MUN5111DW Series
h t t p : / / w w w . w e i t r o n . c o m . t w
W E I T R O N
Maximum Ratings
( T
A
=25 C unless otherwise noted)
Total Device Dissipation FR-5 Board
(1)TA=25 C
Derate above 25 C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage, Temperature Range
Characteristics
TJ,Tstg
R JA
PD
Symbol
Max
Unit
mW
mW/ C
C/W
C
Thermal Characteristics
Device Marking and Resistor Values
Device
Marking
(1)
187
1.5
670
-55 to +150
Collector-Base Voltage
1.FR-4 @ minimum pad
2.FR-4 @ 1.0 1.0 inch Pad
l
l
MUN5111
MUN5112
MUN5113
MUN5114
MUN5115
MUN5116
MUN5130
R1(K)
R2(K)
0A
0B
0C
0D
0E
0F
0G
10
22
47
10
10
4.7
1.0
10
22
47
47
8
8
1.0
Device
MUN5131
MUN5132
MUN5133
MUN5134
MUN5135
MUN5136
MUN5137
Marking
R1(K)
R2(K)
0H
0J
0K
0L
0M
0N
0P
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
2.2
4.7
47
47
47
100
22
SOT-363(SC-88)
3
4
5
1
2
6
PNP+PNP
123
654
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5113DW | Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5114DW | Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5115DW | Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5116DW | Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5130DW | Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN5112DW1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 22 k, R2 = 22 k |
| MUN5112DW1T1 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5112DW1T1G | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5112T1 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5112T1G | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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