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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MUN2112 |
| 廠商： | WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD. |
| 英文描述： | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| 中文描述： | 偏置電阻晶體管進(jìn)步黨硅 |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大小： | 229K |
| 代理商： | MUN2112 |
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
MUN2111 Series
Characteristics
Symbol
Min
Max
Unit
Typ
Electrical Characteristics
On Characteristics
Input Resistor
(T
A
=25 C Unless Otherwise noted)
R1/R2
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
70
32.9
32.9
0.17
-
0.8
0.055
0.38
1.7
0.8
0.21
-
1.0
0.1
0.47
2.1
1.0
0.25
-
1.2
0.185
0.56
2.6
1.2
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
100
47
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
130
61.1
61.1
MUN2114
MUN2115/MUN2116/MUN2140
MUN2130/MUN2131/MUN2132
MUN2133
MUN2134
MUN2137
Resistor Ratio MUN2111/MUN2112/MUN2113
MUN2136
k
WEITRON
2. Pulse Test: Pulse Width < 300 us, Duty Cycle < 2.0 %
MUN2111
MUN2112
MUN2113
MUN2114
MUN2115
MUN2116
MUN2130
MUN2131
MUN2132
MUN2133
MUN2134
MUN2136
MUN2137
MUN2140
(2)
FIG.1 Derating Curve
350
200
150
100
50
050
0
50
100
150
P
D
P
250
300
LOAD
+12 V
FIG.2 Inexpensive, Unregulated Current Source
Typical Application
for PNP BRTs
T , AMBIENT TEMPERATURE( C)
R =370 C/W
θ
JA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN2113 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN2114 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN2115 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN2116 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN2130 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN2112RT1 | 制造商:ETL 制造商全稱:E-Tech Electronics LTD 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MUN2112T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2112T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2112T3 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MUN2113 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
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