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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MUN2116 |
| 廠商： | WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD. |
| 英文描述： | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| 中文描述： | 偏置電阻晶體管進(jìn)步黨硅 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 229K |
| 代理商： | MUN2116 |
Total Device Dissipation FR-5 Board
(1)TA=25 C
Derate above 25 C
Bias Resistor Transistor
PNP Silicon
Collector-Emitter Voltage
Symbol
VCEO
Value
50
Unit
Vdc
Vdc
Rating
IC
VCBO
50
mAdc
Collector Current-Continuous
100
MUN2111 Series
h t t p : / / w w w . w e i t r o n . c o m . t w
W E I T R O N
Maximum Ratings
( T
A
=25 C unless otherwise noted)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage, Temperature Range
Characteristics
TJ,Tstg
R JA
θ
PD
Symbol
Max
Unit
mW
mW/ C
C/W
C
Thermal Characteristics
Device Marking and Resistor Values
(1)
(1)
230
1.8
540
-55 to +150
Collector-Base Voltage
1.FR-4 @ minimum pad
Device
MUN2111
MUN2112
MUN2113
MUN2114
MUN2115
MUN2116
MUN2130
Marking
R1(K)
R2(K)
6A
6B
6C
6D
6E
6F
6G
10
22
47
10
10
4.7
1.0
10
22
47
47
8
8
8
1.0
Device
MUN2131
MUN2132
MUN2133
MUN2134
MUN2136
MUN2137
MUN2140
Marking
R1(K)
R2(K)
6H
6J
6K
6L
6N
6P
6T
2.2
4.7
4.7
22
100
47
47
2.2
4.7
47
47
100
22
1
2
3
SC-59
COLLECTOR
3
EMITTER
BASE
1
2
R1
R2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN2130 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN2131 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN2132 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN2133 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN2134 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN2116RT1 | 制造商:ETL 制造商全稱:E-Tech Electronics LTD 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MUN2116T1 | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2116T1G | 功能描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| MUN2130 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN2130RT1 | 制造商:ETL 制造商全稱:E-Tech Electronics LTD 功能描述:Bias Resistor Transistor |
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