參數(shù)資料
型號: MUBW15-06A6
廠商: IXYS CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Converter - Brake - Inverter Module (CBI1)
中文描述: 18 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-25
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大?。?/td> 210K
代理商: MUBW15-06A6
2000 IXYS All rights reserved
5 - 8
MUBW 15-06 A6
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
t
10
1
0
50
100
150
200
250
300
2
3
4
5 6 7 ms
t
1
10
200
400
600
A
2
s
100
1000
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 V
0
10
20
30
40
50
I
2
t
I
FSM
A
I
F
A
V
s
Forward characteristics
Surge overload current
I
FSM
: crest value, t: duration
I
2
t
versus time (1-10 ms)
typ. lim.
T
VJ
= 180
°
C
T
VJ
= 25
°
C
50Hz, 80%V
RRM
T
VJ
= 45
°
C
T
VJ
= 180
°
C
V
R
= 0 V
T
VJ
=45
°
C
T
VJ
=180
°
C
Input Rectifier Bridge D8 - D13
Transient thermal resistance junction to heatsink
(Z
is measured using 50 μm
thermal grease)
Z
thJH
[K/W]
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t (s)
D = 0
D = 0.005
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
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MUBW15-12A6 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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MUBW15-12A7 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 15 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: